مكونات ذاكرة الوصول العشوائي

كل قطعة ذاكرة تعد دائرة متكاملة مركبة من ملايين الخلايا التي يكونها اتحاد الترانزستورات (بالإنكليزية: Transistors) و[[مكثف|المكثفات}} (بالإنكليزية: Capacitors)، بحيث يشكل كل ترانزيستور ومكثف خلية واحدة من خلايا الذاكرة، وكل خلية من هذه الخلايا تعادل بتاً واحداً من البيانات، ومعلوم أن البت (بالإنكليزية: Bit) أصغر وحدة من وحدات قياس الذاكرة وكل 8 بتات تشكل بايتاً واحداً، والبايت (بالإنكليزية: Byte) هو المساحة الكافية لتخزين قيمة حرف واحد أو رقم أو رمز من محارف الآسكي.

سبب تسميتها بذاكرة الوصول العشوائي

سميت بهذا الاسم لأن المستخدم يستطيع الوصول إلى أي خلية يريد بشكل مباشر(أي دون المرور على الخلايا الأخرى) ومن أيمكان^{[ادعاء غير موثق منذ 237 يوماً]}، وهي على عكس ذاكرة الوصول التسلسلي Serial access memory واختصارها [SAM] والتي لا يمكنك الوصول لأي خلية فيها إلا بشكل تسلسلي كامل من البداية إلى النهاية.

أنواع ذاكرة الوصول العشوائي

هناك نوعان رئيسيان من الذاكرة RAM هما : ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة S RAM ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية D RAM

و هناك أكثر من نوع من ذاكرة الوصول العشوائي، وأسعارها تتفاوت باختلاف هذه الأنواع.

النوع الأول SD-RAM أو SDR-RAM

هي اختصار للجملة Single Data Rate Random Access Memory والتي تعني ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة ذات النقل الأحادي. هذا النوع يقوم بنقل البيانات بسرعة مقبولة نوعاً ما، لكنه في المقابل يستهلك قدراً كبيراً من الطاقة مقارنة بالأنواع الأخرى لأنه يقوم بنقل بت مرة واحدة عند ارتفاع النبضة ثم يعود ليرفع بتاً آخراً بارتفاع النبضة.. وهكذا. وكلما زادت الوحدات أدى ذلك إلى زيادة سرعة المعالجة. وسرعة نقل البيانات فيها إما أن تكون 100 أو 133 ميجا هرتز.

النوع الثاني DD-RAM أو DD-SDRAM

هناك خلاف على تسميتها، فالبعض يقول أنها اختصار للجملة Dual Data Rate Synchronous Dynamic Random Access أي ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة ذات النقل الثنائي، بينما هناك من يقول أنها تعني Double Data Rate-Synchronous DRAM أي ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة ذات النقل المضاعف أو المزدوج، وكلاهما يؤدي لنفس المعنى، هذا النوع يؤدي ضعف أداء النوع الأول، فهي تعطي 2 بت في الثانية الواحدة بمعنى أنها تنقل بتاً لدى ارتفاع النبضة وآخراً عند انخفاضها. ويتميز هذا النوع عن سابقه بأن لديه عرض محزم مضاعف ، وهذا يمكنه من نقل كمية مضاعفة من المعلومات في الثانية بالمقارنة ب sd-ram. كما أنه يستخدم قدراً أقل من الطاقة.

النوع الثالث RD-RAM

هي اختصار للجملة Rambus Dynamic Random Access Memory وتعني الخطوط الديناميكية لذاكرة الوصول العشوائي، وهذه الذاكرة تمتاز بسرعة مذهلة وأسعارها باهظة، ويرتكز عملها على أساس توزيع نقل البيانات ما بين الذاكرة والمعالج على أكثر من قناة. عن طريق تصغير حجم الناقل الأمامي من 32 بت (المستخدمة في الأنواع الأخرى) إلى 16 بت ومن ثم توزيع الحركة على أكثر من قناة تعمل بشكل خطوط متوازية (وهذا سبب تسميتها بالخطوط)، وتعطي سرعات تردد عالية جداًَ تصل إلى 800 ميجاهرتز. وهذا النوع لا يعمل إلا مع معالجات بنتيوم 4 كما أنها تتطلب أنواعاً مخصصة من اللوحات الأم مثل إنتل 850. وتم التخلي عنها بسرعة بسبب إثبات ذاكرة DDR والجيل الجديد DDR 2 انهما يمكنهما إعطاء نتائج منافسة جدا وحتى متفوقة بتكلفة إقل.